I vari tentativi di scienziati e ingegneri in molti laboratori del mondo di creare dispositivi per la memorizzazione di dati digitali sempre più piccoli e soprattutto sempre più sottili sono davvero tantissimi. Poter disporre di dispositivi di memoria sottilissimi può portare, infatti, a chip per computer sempre più veloci, sempre più piccoli e in generale sempre più smart, con un consumo sempre minore.
Una nuova ricerca, realizzata da una squadra di ingegneri elettrici dell’Università del Texas ad Austin, afferma che è possibile, tramite una nuova tecnica, realizzare dispositivi di memoria con lo spessore di un atomo.
Questi fogli atomici bidimensionali per l’archiviazione di dati digitali rappresentano un po’ la chimera del settore.
Secondo Deji Akinwande, professore associato presso il Dipartimento di ingegneria elettrica e informatica della Cockrell School of Engineering, è davvero possibile realizzare dispositivi di memoria con materiali spessi quanto un solo atomo. Gli scienziati hanno utilizzato fogli atomici metallici di grafene come elettrodi e fogli atomici semiconduttori di solfuro di molibdeno come strato attivo. Il risultato è un foglio con uno spessore di circa 1,5 nanometri.
Questi in nanomateriali, ai fatti materiali in 2D, vengono denominati “atomristori” (un termine creato dallo stesso Akinwande), e vanno a migliorare i memristori, nonostante già questi ultimi rappresentino una tecnologia nuovissima, teorizzata già da qualche decennio ma messa in pratica solo da pochissimo.
Sempre secondo Akinwande, “gli atomristori consentiranno il progresso della Legge di Moore a livello di sistema consentendo l’integrazione 3-D della memoria su scala nanometrica con transistor su scala nanometrica sullo stesso chip per sistemi informatici avanzati”.
Un sistema del genere, tra l’altro, permetterebbe di combinare la funzione di dispositivi di memorizzazione con quella classica dei transistor integrando entrambe in quello che, a tutti gli effetti, può essere considerato un solo sistema.
Fonti e approfondimenti
- Nanotechnology Now – Press Release: Ultra-thin memory storage device paves way for more powerful computing (IA)
- Atomristor: Nonvolatile Resistance Switching in Atomic Sheets of Transition Metal Dichalcogenides – Nano Letters (ACS Publications) (IA)
- DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b04342
- Autori ricerca: Ruijing Ge, Xiaohan Wu, Myungsoo Kim, Jianping Shi, Sushant Sonde, Li Tao, Yanfeng Zhang, Jack C. Lee, and Deji Akinwande
- Crediti immagine: Cockrell School of Engineering, The University of Texas at Austin
