Nuovo sensore tattile per touchscreen funziona con elettricità statica

Abstract grafico dello studio (credito: DOI: https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.105266, Nano Energy)

Forse potrebbe rivelarsi molto utile nel contesto della cosiddetta Internet delle cose il sensore tattile funzionante con elettricità statica sviluppato dall’Istituto di Scienza e Tecnologia di Corea (KIST). Questo dispositivo potrebbe risolvere uno dei problemi principali riguardo alla miriade di sensori che gli scienziati nei laboratori di tutto il mondo stanno sviluppando: il rifornimento di energia elettrica. Molto spesso si fa ricorso alle batterie ma queste ultime vanno ad inficiare sul peso finale del dispositivo e in generale non sono molto pratiche per le loro dimensioni. Inoltre le stesse batterie debbono essere ricaricate e, dopo un certo periodo di tempo, inevitabilmente sostituite.

Il team di ricercatori guidato da Seoung-Ki Lee del Centro per la ricerca sui materiali compositi funzionali ha invece sviluppato un sensore tattile funzionante con elettricità statica che migliora l’efficienza della triboelettrificazione di oltre il 40%. La struttura è stata fatta grazie al bisolfuro di molibdeno con la collaborazione di un professore di ingegneria dei materiali dell’Università Nazionale JeonBuk, Chang-Kyu Jeong.
Per rimpicciolire il generatore triboelettrico i ricercatori hanno fatto ricorso al disolfuro di molibdeno.

Il disolfuro di molibdeno è un materiale semiconduttore bidimensionale, praticamente sottile quanto un atomo, che mostra delle proprietà fisiche eccellenti per quanto riguarda la generazione di triboelettricità. Il disolfuro di molibdeno è stato applicato sopra un sensore tattile molto sottile che può essere utilizzato, per esempio, anche come un touchpad o un display touchscreen del tutto autoalimentato, flessibile e leggero. Il display può riconoscere i segnali tattili anche con una piccolissima pressione.
“Questa è stata la prima volta che una tecnica di sintesi del materiale che coinvolge la sintesi di un materiale semiconduttore bidimensionale e l’applicazione di stress interno allo stesso tempo è stato implementato”, spiega Lee nel comunicato stampa.

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